内存时序–命令、状态

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命令

 命令字状态转换

具体时序参数

命令

      内存的读写也是由命令控制，只是这些命令由 信号组合而成，并非协议报文之类，在了解时序前先了解各个命令的基本定义。从某内存颗粒手册截取如下：

                                                                图1  内存命令字定义 

根据图1 内存命令字定义，我们就比较容易看出下图标识active等的来源：

例如，对于active :下图中CS RAS为低；CAS WE为高，其他命令字依次类推。这就是我们在查看手册时序的基础。比如ACTIVE to WRITE 需要两个时钟周期等。

 当然，现在很多颗粒手册写的比较简洁明了：例如  上述的信号标识的命令在下图中直接以文字标识出。

 命令字状态转换

       在内存访问时，各个命令字交替发出。每个命令字前后需要什么命令字操作都有些要求。以本CPU手册为例，其定义过程如下：

 通过此段的描述，我们可以得出类似下面这样一个状态转换图：

 这个图的核心为precharge，核心器件为sense amplifier。

–》读、写后 将数据从sense amplifier 存入到具体的行中。

–> 刷新前，先要保证sense amplifier被初始化。这样才能存储刷新时存储的数据。

 此时，我们再查看此图，其有一个Activate—-》Write–》deactive(precharge)的过程

具体时序参数

         具体时序参数，有时简称，有时全称，全靠名字不太好确认，在理解上述概念后，再看具体参数就比较容易入手。

          此外在具体时序参数时，要特别关注单板 内存控制器具体采用的时钟频率。

         例如某内存颗粒支持的频率如下：

而我们实际上给内存控制器的时钟为66M，那么对于颗粒手册中提及的参数单位 为clock的要注意。例如此处说明 2个ck，是在一个CK为7.5ns的情况下。

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