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DDR2 SDRAM指令
（1）所有DDR2 SDRAM指令均是在CKE为上升沿的时候，由CS#,RAS#,CAS#,WE#的状态定义的。DDR2 SDRAM指令的真值表如下：
（2）在同一块bank中的状态转换如下表：（此时CKE一直保持高电平）
a,现在状态的定义：Ilde：bank完成了precharge且tRP被满足。
Row Active：在该bank里面的这一行已经被激活，且tRCD被满足。在进程中没有数据或寄存器存取。
Read：READ的触发已经完成初始化，且auto precharge无效。
Write：WRITE的触发已经完成初始化，且auto precharge无效。
b,状态转换：
Precharge：开始于执行PRECHARGE指令，结束于tRP被满足。一旦tRP被满足了，该bank跳转到 idle 状态。
Row Activating：开始于执行ACTIVE指令，结束于tRCD被满足。一旦tRCD被满足了，该bank跳转到row active状态。
Read with Auto Precharge Enabled：开始于执行READ指令且auto precharge有效，结束于tRP被满足。一旦tRP被满足了，该bank跳转到 idle 状态。
Write with Auto Precharge Enabled：开始于执行WRITE指令且auto precharge有效，结束于tRP被满足。一旦tRP被满足了，该bank跳转到 idle 状态。
Refreshing：开始于执行LOAD MODE指令，结束于tRFC被满足，一旦tRFC被满足，DDR2 SDRAM的所有bank均跳转到idle 状态。
Accessing Mode Register：开始于执行LOAD MODE指令，结束于tMRD被满足，一旦tMRD被满足，DDR2 SDRAM的所有bank均跳转到idle 状态。
Precharging All：开始于执行PRECHARGE ALL指令，结束于tRP被满足。一旦tRP被满足了，所有bank跳转到 idle 状态。
c,WRITE命令在完成READ触发之后执行。
（3）在不同bank之间的状态转换如下表：（此时CKE一直保持高电平）
3a：在read with auto precharge 有效或 write with auto precharge 有效的状态下，在两个时期可能被中断：一是存取期间，一是预存取期间。对于read with auto precharge，预存取期间定义为如果在auto precharge失效的情况下相同的触发被执行，此后最早的可执行的PRECHARGE指令到所有数据存取的期间。对于write with auto precharge，预存取期间定义为开始于tWR结束，且tWR检测到auto precharge失效。存取期间开始于寄存器的指令，结束于tRP开始。
芯片支持同时发生的auto precharge，例如当read with auto precharge有效或者write with auto precharge 有效的时候，对于别的bank的其他命令是允许的，只要该命令不会中断当前进程里面已经被传送的read或write的数据。
在当read with auto precharge有效或者write with auto precharge 有效的时候，对于别的bank的其他命令的最小延时时间的算法如下表（其中CL=CAS Latency；BL=burst length；WL=WRITE Latnecy）：
AVTIVE 指令用来激活在特定bank里面的一行，为了接下来的存取。变量BA1,BA0用来选择bank，A0-A12用来选择在bank里面的行。这一行一直保持激活的状态一直到PRECHARGE指令在该bank被执行。PRECHARGE指令必须在相同的bank里面激活一个不同的行之后执行。开启AVTIVE 指令的时钟和使能信号如下图所示：
在这一行被AVTIVE 指令激活之后，该行才能进行READ和WRITE指令操作，在AVTIVE 指令和READ和WRITE指令之间必须满足tRCD。之后再对该bank的另外一行执行AVTIVE 指令，必须先关闭先前被激活的行。对相同的bank执行连续AVTIVE 指令之间的最小时间间隔由tRC决定。当上一个AVTIVE 指令的数据正在被存取的时候对不同的bank执行随后的AVTIVE 指令会导致一部分数据减少。对不同的bank执行连续AVTIVE 指令之间的最小时间间隔由tRRD决定。
下图所示的是满足了tRRD(min)和tRCD(min)下的指令执行情况：
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