NAND闪存（NAND Flash）颗粒SLC，MLC，TLC，QLC的对比

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1.固态硬盘性能指标：

        顺序读写是我们日常使用电脑做一下数据的拷贝，转移时常见的操作，这是读写的过程都是有规律的序列。所以一般SSD的顺序读取速度都是不会太慢的。

        4K随机读写一般是指在系统级别的操作，比如系统开关机，调用软件运行等操作时的读写速度，因为这些操作调用的数据都是无规律的小数据，而4KB是目前系统内不受压缩的最小数据块规模，所以才将4K读写作为一个测试的指标。4K的读写速度越快，说明系统的运行越流畅，反过来也说明SSD的性能越强。

2.解析：

存储基质: 浮栅晶体管   

SLC：每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低而成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。

MLC：每个cell单元存储2bit信息，需要更复杂的电压控制，有00,01,10,11四种变化，这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。

TLC：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对而言的，通常来讲，经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。

QLC：或者可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%，就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度方面，SATA接口中的二者都可以达到540MB/S，QLC表现差在写入速度上，因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长，速度更慢，连续写入速度从520MB/s降至360MB/s，随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS，损失将近一半。

容量比较：QLC>TLC>MLC>SLC

速度比较：SLC>MLC>TLC>QLC

价格比较：SLC>MLC>TLC>QLC

 寿命比较：SLC>MLC>TLC>QLC