齐纳二极管,肖特基二极管,瞬态电压抑制二极管

齐纳二极管,肖特基二极管,瞬态电压抑制二极管瞬态电压抑制 TVS 二极管是一种特殊的齐纳二极管 其符号

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普通二极管,齐纳二极管,肖特基二极管的符号:

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瞬态电压抑制(TVS)二极管是一种特殊的齐纳二极管,其符号如下:

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普通二极管

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普通二极管常被用在较高电压的全波整流和半波整流电路中。在一些应用中,利用二极管的0.7V正向导通电压的特性,在需要限制电压高于0.7V的电路中,也被用在钳位电路中。

齐纳二极管(Zener diode):

肖特基二极管(Schottky diode):

由金属-半导体结制成。金属-半导体结之间不存在耗尽区。

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肖特基二极管的金属-半导体结的正向导通电阻很小,允许大的电流通过,导通电压较低,为0.3-0.7V. 反向漏电流大于常规PN结二极管。
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反向恢复时间

肖特基二极管的低导通电压特性,使其常被应用在数字电路的与、或、非门电路中,在低压整流电路中,也常用其作为低压整流电路。

瞬态电压抑制(Transient Voltage Suppress,TVS)二极管

TVS管是一种特殊的齐纳二极管[3]。齐纳二极管常被用做稳压二极管,工作在反向导通区域。而TVS管常被用做ESD保护电路,通常当没有静电高压时,工作在反向截至区域,一旦有瞬时静电高压时,工作在反向导通区域。

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  1. 漏电流 I R \mathrm{I}_R IR:TVS管上的电压小于最大方向漏电压时的电流
  2. 最大反向漏电压 (Standoff Voltage, V r \mathrm{V}_r Vr):电流未发生显著增加的最小电压
  3. 击穿电压 (Breakdown Voltage , I B R \mathrm{I}_{BR} IBR):电流开始显著增加的电压
  4. 钳位电压(Clamping Voltage, V C \mathrm V_C VC):TVS管瞬时导通的电压
  5. 寄生电容:TVS管截至时表现出的并联电容
  6. 寄生电感:TVS管瞬时导通时,表现出的串联电感
  7. 能够吸收的能量:TVS管能够瞬时吸收的能量

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上图摘自Littelfuse[4]

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参考文献:

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