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一、静态功耗概念
静态功耗又叫泄漏功耗（Leakage Power），它是指电路在等待或者没有翻转情况下的功耗。Static Power与CMOS的各种泄漏电流有关，主要包括：反偏二极管的泄漏电流，门栅感应漏极泄漏电流、亚阈值泄漏电流、门栅泄漏电流（下图对应文档）。
静态功耗的概念非常重要，某种意义上它与MOS管本身的结构有关，受温度等外界温度的影响。它与频率无关，所以不能通过降频的方式降低静态功耗，同时Static Power与温度成指数关系，在温度较高时，Static Power会变得非常大。Leakage Power可以从lib/db中得到，跟input pin的状态有关。
二、静态功耗计算
在90nm之前，leakage power在lib/db里被描述成一个常值的。但从90nm开始，为了更加精确，lib/db里的leakage power不再是个常值了，而是被模拟成一个输入状态的函数。在一个lib/db里跟leakage相关的变量大致有：
library(xxxxx) { leakage_power_unit :"1nW"; default_leakage_power_density :0.0; default_cell_leakage_power :0.0; cell_leakage_power :53057.; leakage_power(){ when :"!A & !B &免责声明：本站所有文章内容,图片，视频等均是来源于用户投稿和互联网及文摘转载整编而成，不代表本站观点，不承担相关法律责任。其著作权各归其原作者或其出版社所有。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容,侵犯到您的权益，请在线联系站长,一经查实,本站将立刻删除。 本文来自网络,若有侵权，请联系删除，如若转载，请注明出处：https://haidsoft.com/130348.html
