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AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线。
AO3400概述
30V N沟道MOSFET
Vds 30V
Id（Vgs=10v情况下） 5.8A
Rds(ON) (Vgs=10v情况下) <28mΩ
Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) <33mΩ
Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) <52mΩ
AO3400参数描述
型号：AO3400
封装：SOT-23
电性参数：5.8A 30V
漏源电压（Vds）：30v
栅源电压 (Vgs)：±12v
连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A
连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A
功率损耗（PD 25℃）：1.4W
功率损耗（PD 70℃）：0.9W
结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃
了解AO3400输出特性曲线：
输出特性曲线是在VDS之间不加其他负载的情况下绘制的，所以输出特性曲线上的ID就是在UGS电压下ID所能提供的最大电流。从原理上讲，DS之间有一个电阻，由UGS和UDS控制，就是沟道。当它工作在恒流区时，这个电阻只受UGS控制，所以当工作在恒流区时，可以通过改变UGS来改变RDS的电阻，流过它的电流ID就会改变。
实际控制过程实际上是通过UGS来控制沟道电阻的变化，电阻的变化引起电流ID的变化。在实际分析计算过程中，跳过了沟道控制环节，直接用gm低频互导参数代替UGS与ID的变化关系，该参数取自转移特性曲线。
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