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本文主要讲述热电效应的三个基本原理：
- 1 塞贝克效应 seebeck effect
- 2 帕尔贴效应 Peltier effect
- 3 汤姆逊效应 Thomson effect
- 4 热点转换效率 η \eta η与热电优值 Z T ZT ZT的关系
ZT (thermoelectric figure of merit) 热电优值
1. 热电效应的三个原理
1.1 塞贝克效应
在热电材料中，由自由电子或空穴携带电荷和热量。热电半导体材料中的电子和空穴表现的像带电粒子的气体，如果一个正常的（不带电的）气体放置在一个温度梯度的盒体内，一端为冷而另一端热，则热端的气体分子的运动比冷端更快，更容易扩散，因此冷端分子密度很高，密度梯度将驱散分子扩散回热端。在稳定状态下，密度梯度的影响将完全抵消温度梯度的影响，因此不存在分子的净流量。如果分子带电，冷端电荷的集聚也会产生一个排斥静电场(电势)，将电荷推回到热端。由温差产生的电势(电压)称为塞贝克效应。
在这里就是电压和密度共同的作用与温差作用相抵消
塞贝克效应电势差的计算公式：
V = ∫ T 1 T 2 ( S B ( T ) − S A ( T ) ) , d T V=\int_{T_1}^{T_2}(S_B(T)-S_A(T)), {\rm d}T V=∫T1T2(SB(T)−SA(T)),dT
其中， S A 和 S B S_A和S_B SA和SB分别为两种材料的塞贝克系数，T为温度。如果 S A 与 S B S_A与S_B SA与SB不随温度变化，则上式可简化为：
V = ( S A − S B ) ( T 2 − T 1 ) V=(S_A – S_B)(T_2 – T_1) V=
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