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1.根据复合过程的微观机制，可以分为：
- 直接复合：电子在导带与价带之间直接跃迁进行复合（对窄禁带半导体，直接禁带半导体材料占优势）
- 间接复合：通过禁带能级（复合中心，SRH复合）进行复合（少子寿命与复合中心的浓度成反比，深能级是更有效的复合中心）
2.根据复合发生的位置可以分为：表面复合、体内复合
3.根据释放能量的方式分为：
- 辐射复合：发射光子（e-光子）
- 非辐射复合：有两种主要机制，深能级复合（SRH理论）及俄歇复合。能量的释放方式为：
（1）发射声子，能量传递给晶格，变成晶格振动（e-声子）
（2）俄歇复合，能量传递给其他载流子（e-e, 窄禁带半导体、重掺杂材料及高温情况下起重要作用）
图中（a）间接复合，非辐射复合；（b）直接复合，俄歇复合，非辐射复合；（c）直接复合，辐射复合
4.silvaco中载流子的复合可分为：
- Shockley-Read-Hall 复合模型（srh，consrh，klasrh，trap.tunnel）
- 俄歇复合模型（auger，klaaug）：
- 光学复合模型（optr）
- 表面复合模型（s.n，s.p，surf.rec）
- 陷阱复合（trap，inttrap，defect）
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