半导体的激发与发光

半导体的激发与发光半导体照明技术 第二版 第四章 LED 发光原理 假设发光是在 P 区中发生的 那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光 或者先被发光中心捕获后 再与空穴复合发光

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半导体照明技术(第二版)第四章

  • LED发光原理:假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(介于导带、价带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,再次释放的能量不大,不能形成可见光。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在近PN结面数微米以内产生。
  • 量子效率是发光二极管特性中一个与辐射量相关的重要参数。它反映了注入载流子复合产生光量子的效率。量子效率又有内量子效率和外量子效率之分。外量子效率是指单位时间内输出发光二极管外的光子数目与注入的载流子数目之比;内量子效率:单位时间内半导体的辐射复合产生的光子数与注入的载流子数目之比。
  • 注入效率就是可以产生辐射复合的二极管电流在二极管的总电流中所占的百分比。
  • 提高注入效率的途径:P区受主浓度小于N区施主浓度;减小耗尽层中的复合电流,这就要求LED所用的材料和制造工艺尽可能保证晶体完整,尽量避免有害杂质的掺入。
  • 理想的PN结:用pn结不仅可以高效地产生过剩的电子和空穴,而且为了造成过剩电子和空穴所必要的电压——一般在4V以下的直流电压,与半导体集成电路及其他半导体器件的匹配是极为有利的。(1)pn结的接触电势差>>(2)少数载流子的注入:忽略耗尽层中电子和空穴的复合。>>(3)流过pn结的电流:对辐射复合贡献最大的是扩散电流。
  • 实际的PN结&#x

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