大家好，欢迎来到IT知识分享网。
1. 产品简介：
2N7002DW-VB是一款双N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有高可靠性和低导通电阻特性。该器件适用于需要低功率和低压驱动的应用场合，如电源管理、信号开关和马达驱动等领域。
2. 参数说明：
– 器件类型：双N沟道MOSFET
– 封装：SC70-6
– 最大漏极-源极电压（VDS）：60V
– 最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
– 阈值电压（Vth）：1.7V
– 导通电阻（RDS(ON)）：1800mΩ @ VGS=10V
– 漏极电流（ID）：0.35A
– 技术特点：Trench
3. 应用示例：
– 电源管理：2N7002DW-VB适用于低功率电源管理模块，如电池供电的便携式设备。其低导通电阻和高可靠性特性可以提高电源管理系统的效率。
– 信号开关：在信号开关模块中，2N7002DW-VB可以用作信号开关，实现对信号的高效控制。其低导通电阻和高可靠性特性可以提高信号开关系统的性能。
– 马达驱动：在小型马达驱动应用中，2N7002DW-VB可以用作马达控制开关，实现对马达的高效控制。其低导通电阻和高可靠性特性可以提高马达驱动系统的效率和稳定性。
免责声明：本站所有文章内容,图片，视频等均是来源于用户投稿和互联网及文摘转载整编而成，不代表本站观点，不承担相关法律责任。其著作权各归其原作者或其出版社所有。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容,侵犯到您的权益，请在线联系站长,一经查实,本站将立刻删除。 本文来自网络,若有侵权，请联系删除，如若转载，请注明出处：https://haidsoft.com/154186.html
