polycide,silicide,salicide三者区别

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Polysilicon–silicon with randomly orientated grains where each grain is made up ofcrystalline silicon.

silicide–acompound of metal and silicon. Silicides may be easily formed by thermallyreacting a variety of metal with silicon and are widely used as contacts tosilicon and conductors.

SelfAligned Silicide –a silicide process where an oxide or nitride layer withopening down to silicon is used to allow silicide to only form in selectedareas.

在次微米技术中，为了克服所谓热载子(Hot-Carrier)问题而发展出LDD(Lightly-DopedDrain)制程与结构; 为了降低CMOS组件漏极(drain)与源极(source)的寄生电阻(sheetresistance)Rs 与 Rd，而发展出Silicide制程; 为了降低 CMOS组件闸级的寄生电阻 Rg，而发展出Polycide 制程 在更进步的制程中把Silicide与 Polycide 一起制造，而发展出所谓Salicide制程。

polycide:降低栅极电阻

silicide：降低源漏电阻

salicide：既能降低栅极电阻，又能降低源漏电阻

首先，这三个名词对应的应用应该是一样的，都是利用硅化物来降低POLY上的连接电阻。但生成的工艺是不一样的，具体怎么用单独的中文区分，现在我也还没看到相应资料，就暂且沿用英文的了。 其中，

SILICIDE就是金属硅化物，是由金属和硅经过物理－化学反应形成的一种化合态，其导电特性介于金属和硅之间，而POLYCIDE和SALICIDE则是分别指对着不同的形成SILICIDE的工艺流程，下面对这两个流程的区别简述如下：

POLYCIDE： 其一般制造过程是，栅氧化层完成以后，继续在其上面生长多晶硅(POLY-SI），然后在POLY上继续生长金属硅化物（silicide），其一般为 WSi2（硅化钨）和TiSi2 （硅化钛）薄膜，然后再进行栅极刻蚀和有源区注入等其他工序，完成整个芯片制造。

SALICIDE:它的生成比较复杂，先是完成栅刻蚀及源漏注入以后，以溅射的方式在POLY上淀积一层金属层（一般为Ti,Co或Ni），然后进行第一次快速升温煺火处理（RT

A），使多晶硅表面和淀积的金属发生反应，形成金属硅化物。根据煺火温度设定，使得其他绝缘层（Nitride 或Oxide）上的淀积金属不能跟绝缘层反应产生不希望的硅化物，因此是一种自对准的过程。然后再用一中选择性强的湿法刻蚀（NH4OH/H2O2/H20或H2SO4/H2O2的混合液）清除不需要的金属淀积层，留下栅极及其他需要做硅化物的salicide。另外，还可以经过多次煺火形成更低阻值的硅化物连接。

跟POLYCIDE不同的是，SALICIDE可以同时形成有源区S/D接触的硅化物，降低其接触孔的欧姆电阻，在深亚微米器件中，减少由于尺寸降低带来的相对接触电阻的提升。另外，在制作高值POLY电阻的时候，必须专门有一层来避免在POLY上形成SALICIDE，否则电阻值就上不了。

SAB指的是salicideblock

Salicide中文翻译过来就叫硅化物，其实是比较薄的一层金属和多晶的合金体，其主要目的是在多晶硅或者diffusion表面相对比较薄的一层上面生长出一层（或者是淀积）金属－硅的硅化物，目的是降低多晶上的电阻率。

SAB层用来阻止sailicide的生成，从而得到阻值较高的diffusion或者poly。常用在poly电阻，diffusion电阻，ESDdevice的Drain端，提高其电阻和耐压。