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eDRAM（Embedded DRAM）是嵌入式动态随机存取存储器。它是一种将DRAM（动态随机存取内存）集成到系统芯片（SoC）内部的设计，通常用于提高系统的内存带宽和降低延迟。eDRAM的特点是结构相对简单，容量较大（理论上可以是SRAM的6倍），但与传统DRAM一样，它需要定时刷新数据以维持信息的存储，这会增加一定的功耗。
原理概述
eDRAM的原理基于DRAM的基本存储机制，即利用电容存储电荷来表示数据位（0或1）。在DRAM中，每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成，晶体管作为开关控制电容的充放电，从而实现对数据的读写操作。然而，由于电容存在漏电现象，DRAM需要定期刷新来补充电荷，以保持数据的稳定性。
总结
eDRAM是一种将DRAM集成到SoC内部的嵌入式存储器技术，它通过缩短访问路径和降低延迟来提高系统性能。尽管它需要定时刷新数据以维持信息的存储并增加一定的功耗，但其高速访问特性和大容量优势使得它在游戏主机、处理器缓存等领域得到了广泛应用。
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