集成电路版图设计(一)

集成电路版图设计(一)学习版图知识 集成电路版图设计

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前言


提示:以下是本篇文章正文内容,下面案例可供参考

一、版图设计的介绍

介绍

数字电路和模拟电路布局的要求

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数字电路杂乱无章,主要关注面积。
模拟电路要充分考虑匹配、寄生,所以看着比较规整。
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流片过程

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OPC技术(光学邻近矫正)

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数字集成电路设计流程

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模拟集成电路设计流程

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绘制版图需要的
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二、MOS管的流片流程

MOS管尺寸指数

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1P4M芯片构成

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流片工艺立体图

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流片的简单过程

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三、流片的实际设计过程

1、N阱光刻

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2、氧化层刻蚀

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3、N阱注入

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4、氮化硅奠基

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5、有源区光刻

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6、氮化硅光刻

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7、生产场氧层

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8、薄的栅氧化层生长

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9、多晶硅注入做奠基

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10、栅极光刻

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11、多晶硅刻蚀

12、形成源漏区准备

13、N+光刻

14、N+注入

15、N+区完成

16、P+区光刻

17、P+区注入

18、P+衬底形成(注入完全)

19、奠基厚的氧化层做绝缘处理

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20、接触光刻

21、厚的氧化层光刻

22、注入金属钨

23、金属一层光刻

24、金属一层刻蚀

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25、金属一互联

26、多层金属互联的立体结构

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四、实际案例

1、CMOS晶体管的横切片图和版图

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2、设计规则技术

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3、DRC检查和LVS

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4、Post Simulation

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五、软件仿真的一些简单步骤

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版图操作技巧
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