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前言
提示:以下是本篇文章正文内容,下面案例可供参考
一、版图设计的介绍
介绍
数字电路和模拟电路布局的要求
数字电路杂乱无章,主要关注面积。
模拟电路要充分考虑匹配、寄生,所以看着比较规整。
流片过程
OPC技术(光学邻近矫正)
数字集成电路设计流程
模拟集成电路设计流程
绘制版图需要的
二、MOS管的流片流程
MOS管尺寸指数
1P4M芯片构成
流片工艺立体图
流片的简单过程
三、流片的实际设计过程
1、N阱光刻
2、氧化层刻蚀
3、N阱注入
4、氮化硅奠基
5、有源区光刻
6、氮化硅光刻
7、生产场氧层
8、薄的栅氧化层生长
9、多晶硅注入做奠基
10、栅极光刻
11、多晶硅刻蚀
12、形成源漏区准备
13、N+光刻
14、N+注入
15、N+区完成
16、P+区光刻
17、P+区注入
18、P+衬底形成(注入完全)
19、奠基厚的氧化层做绝缘处理
20、接触光刻
21、厚的氧化层光刻
22、注入金属钨
23、金属一层光刻
24、金属一层刻蚀
25、金属一互联
26、多层金属互联的立体结构
四、实际案例
1、CMOS晶体管的横切片图和版图
2、设计规则技术
3、DRC检查和LVS
4、Post Simulation
五、软件仿真的一些简单步骤
版图操作技巧
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