数字电路基础知识——CMOS门电路 (与非门、或非、非门、OD门、传输门、三态门)

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数字电路基础知识——CMOS门电路 (非门、或非门、与非门、或门、与门、与或非门、异或门、OD门、传输门、三态门)
先了解二极管门电路逻辑，再次介绍CMOS门电路，也是IC中用的最广泛的门电路。
主要了解与非门、或非门以及相同面积的cmos与非门和或非门哪个更快。OD门、传输门、三态门。

一、二极管门电路

CMOS门电路介绍之前，先介绍二极管门电路：

1. 与门

2. 或门

3. 二极管门电路的缺点

输出的高低电平数值和输入的高低电平不相等，相差一个导通电压，如果输出作为下一级门输入信号，将发生高、低电平偏移
输出端对地接上负载电阻，组在电阻的改变会影响输出高电平。因此，这种电路只用作IC内部的逻辑单元，并不能作为输出端直接驱动负载。

二、CMOS 门电路

1. 反相器（非门）

2. 常用的逻辑门：或非门、与非门

主要缺点：
1）输出电阻R0受输入状态影响,即输出电阻不一样，能够相差四倍。如：
A=1, B=1，则R0 = Ron2 + Ron4 = 2Ron
A=0, B=0，则R0 = Ron2 // Ron4 = 1/2Ron
A=0, B=1，则R0 = Ron1 = Ron
A=0, B=0，则R0 = Ron3 = Ron

2）输出的高低电平受输入端数目的影响
输入端越多，，串联的驱动管数目也越多，输出的VOL越高，VOH也更高。
当输入端全部为低电平时，输入端越多负载并联的数目越多，输出的高电平VOH也越高。

3）使T2、T4的Vgs达到开启电压时，对应的Vi也会不同

相同面积的cmos与非门和或非门哪个更快——与非门会更优

学过半导体器件都知道，电子迁移率是空穴的2.5倍（在硅基CMOS工艺中），运算就是用这些大大小小的MOS管驱动后一级的负载电容，翻转速度和负载大小一级前级驱动能力相关。为了上升延迟和下降延迟相同，PMOS需要做成NMOS两倍多大小。

载流子的迁移率，对PMOS而言，载流子是空穴；对NMOS而言，载流子是电子。

PMOS采用空穴导电，NMOS采用电子导电，由于PMOS的载流子的迁移率比NMOS的迁移率小，所以，同样尺寸条件下，PMOS的充电时间要大于NMOS的充电时间长。

在互补CMOS电路中，与非门是PMOS管并联，NMOS管串联，而或非门正好相反，所以，同样尺寸条件下，与非门的速度快，所以，在互补CMOS电路中，优先选择与非门。

针对上面问题进行改进

采用或非门加反相器（缓冲器 就是与非门，如上图所示。
带缓冲的门电路，输出电阻、输出的高低电平以及电压传输特性将不受输入端状态的影响

对于或非门，则是与非门加缓冲器。

3. OD门（漏极开路的门电路）

OD门：为了满足输出电平的转换，吸收大负载电流以及线与逻辑，将MOS改为漏极开路

OD输出的与非门结构图如下：
OD门工作必须接上拉电阻RL到电源上。

OD门的应用：可以将多个OD门输出端直接相连，实现线与逻辑，即将输出并联使用，可以实现线与或用作电平转换和驱动。如下图所示：
Y1、Y2中任何一个为低电平，输出都为低电平，同时为高时，输出才为高电平。

4. 传输门

CMOS传输门：利用P沟道MOS管和N沟道MOS管互补的特性连接如下图

2）模拟开关：
由传输门和一个反相器组成，双向器件。

传输连续变化的模拟电压信号。

5. 三态门

三态门常用在IC的输出端，也称为输出缓冲器