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图中是一个开关电源 / 直流 – 直流(DC – DC)变换电路,二极管 D 作为续流二极管,在电路中起着关键作用,以下从电路工作阶段拆解其原理:

一、电路结构:降压型 DC – DC 变换器
核心元件:
- IRF5210:N 沟道 MOSFET,作为开关管,由 PWM 信号控制通断。
- L:电感,储能 / 续流元件。
- D:续流二极管(通常为肖特基二极管,如 1N5822 )。
- Rs:采样电阻,用于检测输出电流。
二、续流二极管的作用:“维持电感电流,避免电压尖峰”
电路工作分为开关管导通和开关管关断两个阶段,二极管 D 在关断阶段起作用:
1. 开关管导通阶段(MOSFET 开通)
- MOSFET 导通时,电流路径:DC输入→MOSFET→L→Rs→RL→地
- 电感 L 被充电,电流 iL(t) 线性上升,储存能量(E=21Li2)。
- 此时二极管 D 反偏(阳极电压 < 阴极电压),截止,不参与工作。
2. 开关管关断阶段(MOSFET 关断)
- MOSFET 关断后,电感 L 的 “电流不能突变” 特性(楞次定律)会产生反向感应电动势(阻止电流减小),使电感两端电压极性反转(左负右正 )。
- 若没有二极管 D,电感反向电动势会与输入电压叠加,导致 MOSFET 漏极出现高压尖峰(可能击穿开关管)。
- 续流二极管 D 此时正向导通,为电感电流提供 “续流路径”:L→D→Rs→RL→L
- 作用:维持电流连续:电感储存的能量通过 D 释放给负载,保证负载电流不中断。抑制电压尖峰:反向电动势被二极管钳位,避免 MOSFET 承受过高电压。
三、关键特性与选型
- 二极管类型:必须选快恢复二极管或肖特基二极管(如 1N5822 ),因为开关频率高(PWM 通常几十 kHz 到 MHz),普通整流二极管反向恢复时间长,会导致损耗大、发热严重。
- 反向耐压:需大于电感反向电动势 + 输入电压,一般选 2 倍以上输入电压(如输入 12V,选 30V 耐压)。
- 正向电流:需大于电感最大电流(考虑峰值),一般选 2 倍以上负载电流。
四、对比 “无续流二极管” 的后果
若去掉 D,开关管关断时:
- 电感电流无法续流,会瞬间 “断流”,导致电感两端产生极高的反向电压(可能损坏 MOSFET )。
- 负载电流会 “突变”,导致输出电压暴跌,无法稳定供电。
一句话总结
续流二极管 D 是降压型 DC – DC 变换器的 “必备元件”,在开关管关断时为电感电流提供续流路径,维持负载供电、抑制电压尖峰,保证电路稳定工作。核心原理是利用二极管的单向导电性,配合电感的 “电流不能突变” 特性。

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