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LOD效应：(Length Of Diffusion)扩散区长度效应，是指STI(浅沟槽隔离)到多晶硅栅poly(器件有源区)的距离不同，导致应力对器件的影响也不同，进而影响MOS管的阈值电压等参数。
版图设计时减小LOD效应的措施：①、加dummy管
WPE效应：(Well Proximity Effect)阱邻近效应，是指在阱掺杂过程中，阱边缘由于散射，掺杂浓度比其他地方要高一些，这样临近阱边缘的器件特性就与远离阱边缘的器件特性不一样，主要体现在阈值电压、迁移率何体效应上。
后仿真时可以先做norc抽取来查看WPE和前仿真的差别，即查看关键电路节点信号是否和前仿真一致，或者尽可能偏差较小。
版图设计时减小WPE效应的措施：①、加dummy器件 ②、将器件上下左右远离阱2um
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