常用SOT23封装小功率MOSFET场效应管参数表

常用SOT23封装小功率MOSFET场效应管参数表输入电容 Ciss Vds 反向传输电容 Crss Vds 导通电阻 RDS on Vgs Id 栅极电荷 Qg Vgs 漏源电压 Vdss 连续漏极电流 Id 阈值电压 Vgs th I

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常用SOT23封装小功率MOSFET场效应管参数表

  输入电容(Ciss@Vds) 反向传输电容(Crss@Vds) 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 栅极电荷(Qg@Vgs) 漏源电压(Vdss) 连续漏极电流(Id) 阈值电压(Vgs(th)@Id)     沟道 封装
2N7002 27.5pF@30V 1.9pF@30V 2.5Ω@10V 1.6nC@10V 60V 340mA 2.5V@250uA 350mW C N  
2N7002K 40pF@10V 10pF@10V 0.9Ω@10V,500mA 规格书无参数 60V 340mA 2.5V@1mA 350mW C N  
2N7002K 23.8pF@30V 1.5pF@30V 900mΩ@10V 930pC@10V 60V 500mA 1.6V@250uA 350mW C N  
BSS138 17.5pF@25V 6.5pF@25V 2.5Ω@10V,0.34A 1.7nC@10V 50V 340mA 1.6V@250uA 350mW C N  
BSS123 32pF@50V 7pF@50V 5Ω@10V,0.2A 1.4nC@10V 100V 200mA 2.5V@250uA 350mW C N  
2SK3018 13pF 4pF 8Ω@4.0V,10mA 规格书无参数 30V 100mA 1.5V@100uA 200mW C N  
2SK3018W 13pF 4pF 8Ω@4.0V,10mA 规格书无参数 30V 100mA 1.5V 200mW C N SOT-323
MDD2302 280pF@10V 42pF@10V 28mΩ @ 4.5V
32mΩ @ 3.3V
4.7nC 20V 3.0A@25C 0.6V@250uA 1.2W@25C C N  
HL2300 418pF@10V 70pF@10V 25mΩ@4.5V,4.5A 1.4nC@4.5V 20V 4.5A 1V@250uA 1W C N  
HL2304 314pF@15V 48pF@15V 60mΩ@10V,3.6A 6.08nC@10V 30V 3.6A 2.2V@250uA 1W C N  
HL3400A 630pF@15V 71pF@15V 35mΩ@10V,5.6A 17.5nC@10V 30V 5.6A 1.5V@250uA 1.2W C N  
                       
                       
BSS84 43pF@30V 2.8pF@30V 8Ω@10V,0.17A 1.77nC@10V 60V 170mA 2V@250uA 225mW C P  
MDD2301 330 45 70mΩ@4.5V
95mΩ@2.5V
6.6 20V 3A 0.7V@-250μA 1.2 C P  
HL2303 155pF@15V 25pF@15V 0.19Ω@10V,1.9A 4nC@10V 30V 1.9A 3V@250uA 350mW C P  
HL3401A 68pF@15V 1040pF@15V 55mΩ@10V,4.2A 22nC@10V 30V 4.2A 1.4V@250uA 1.2W C P  

参数说明:

1,所有参数皆有最小值,最大值,典型值,一般情况下,参数为典型值
2,所有参数皆有特定测试条件,应用时应仔细查询
3,相同型号,相同尾缀,不同厂家,参数差异可能超过50%
4,黄色为厂家规格书中未提供参数,如厂家看到,请更新规格书
5,仅列出重要参数,如温度范围一般都-55℃~+150℃,封装SOT23
6,网页型号MDD2302,对应规格书实为SI2302,截止到

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